15-ваттный усилитель мощности 3Ч К174УН19

Рейтинг:  0 / 5

Звезда не активнаЗвезда не активнаЗвезда не активнаЗвезда не активнаЗвезда не активна
 

Микросхема представляет собой усилитель Мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощностью 15 Вт на нагрузке сопротивлением 4 Ом и предназначена для применения в высококачественной звуковоспроизводящей и телевизионной аппаратуре. Она устойчива к тепловым перегрузкам и не выходит из строя при замыканиях в цепи нагрузки.


Прибор оформлен в пластмассовом корпусе 1501.5-1 с плоскими жесткими выводами и снабжен теплообменным медным фланцем с отверстием для монтажа на теплоотводе. Чертеж корпуса представлен на рис. 1.
 Масса прибора -  не более 2 г.



Структурная схема усилителя показана на рис. 2. Все узлы, кроме оконечных транзисторов, питаются от источника стабильного тока. Сигнал 34 подводят к входам предварительного дифференциального усилителя. Фазоинвертор формирует на выходе два противофазных сигнала, которые поступают на вход оконечного двутактного усилителя мощности. Во входную цепь усилителя мощности включены формирователь тока покоя, узел тепловой защиты и узел защиты микросхемы от замыкания цепи нагрузки. МОП-конденсатор С1 обеспечивает отрицательную обратную связь по переменному току.
Назначение выводов: 1 — неинвертирующий вход; 2 инвертирующий вход; 3 — минусовой вывод питания; 4 — выход; 5 — плюсовой вывод питания.
Типовые схемы включения микросхемы К174УН19 в двух вариантах питания — двуполяр-ным напряжением и однополяр-ным — показаны на рис. 3 и 4 соответственно. Оба усилителя практически одинаковы по характеристикам. Рабочая частотная полоса — 20 Гц... 30 кГц.







ПРЕДЕЛЬНЫЕ
ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ
ПАРАМЕТРЫ
Напряжение питания, В двуполярное  2X6...2X18 однополярное 12...36
Максимальный выходной ток, А ------3,5
Максимальное входное напряжение, В-2X(Uпит—— 1,5)
Минимальное сопротивление нагрузки, Ом ------3,2





 Штриховой линией на схемах показана «антизвонная» цепь, которую включают в случае самовозбуждения усилителя на высокочастотном участке рабочей полосы.
На рис. 5—8 показаны типичные графические зависимости некоторых параметров микросхемы (Ррас — мощность, рассеиваемая микросхемой; KyU — неравномерность по частоте коэффициента усиления напряжения). На рис. 8 показаны зависимости максимально допустимой мощности рассеяния при различных условиях охлаждения. График 1 соответствует случаю теплового сопротивления цепи кристалл - - тепло-обменный фланец микросхемы — теплоотвод Rt=8 °С/Вт, 2 — 4°С/Вт, 3 — 2,5°С/Вт, 4 — менее 2 °С/Вт.
И. НОВАЧЕНКО
г. Москва

Оставлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи