Усилитель мощности 60/120 Ватт
Рейтинг: 0 / 5
- Подробности
- Категория: УМЗЧ на микросхемах
- Опубликовано: 19.03.2017 10:48
- Просмотров: 1942
Всем привет.
Изучаем усилитель мощности на интегральной микросхеме LM4780 от National Semiconductor.
Что в ней особенного? Ну, прежде всего - это очень низкий уровень гармонических искажений. Обычно, производители обозначают максимальную мощность своей очередной гениальной поделки при коэффициенте гармоник 10%. У этой же микросхемы, КГ при максимальной указанной мощности составляет всего 0,5%! Таким образом, это самая честная микруха из всех мной встреченных.
Основные характеристики микросхемы следующие:
|
Напряжение питания, В |
+/-20...84 |
|
Потребляемый ток отсутствие сигнала, мА |
110 |
|
Выходная мощность(КГ=0,5%, Uпит=35В), Вт: |
60 |
|
Коэффициент гармоник (Pвых=30Вт, Rнагр=8Ом), %: |
0,03 |
|
Отношение сигнал/шум (взвешенное), % |
114 |
В микросхеме реализованы два одинаковых канала усиления и характеристики даны для стерео режима работы усилителя. Микросхема так же может работать в режиме моно - в мостовом включении. В этом случае, выходная мощность при КГ=0,5% составит 120 Ватт. Остальные характеристики практически не изменяются.
Смотрим схемы включения.
>
>Навесных элементов не слишком много и все они легкодобываемые. Микросхема выпускается в любимом всем человечеством корпусе ТО-220 и замечательно монтируется на радиатор. Радиатор, конечно, придется применять очень нехилый, но что поделать - это вам не класс D.
Табличка с элементами (двухканальная схема):
|
Обозначение на схеме |
Номинал |
|
C1 |
15 |
|
C2 |
15 |
|
C3 |
1мкФ |
|
C4 |
1мкФ |
|
C5 |
68мкФх50В |
|
C6 |
68мкФх50В |
|
C7 |
0,1 |
|
C8 |
10мкФх50В |
|
C9 |
0,1 |
|
C10 |
1000мкФх50В |
|
C11 |
10мкФх50В |
|
C12 |
1000мкФх50В |
|
C13 |
0,1 |
|
C14 |
0,1 |
|
|
|
|
R1 |
10кОм |
|
R2 |
1кОм |
|
R3 |
1кОм |
|
R4 |
15кОм |
|
R5 |
1кОм |
|
R6 |
15кОм |
|
R7 |
1кОм |
|
R8 |
20кОм |
|
R9 |
2,7Ом |
|
R10 |
2,7Ом |
|
R11 |
20кОм |
|
|
|
|
DA1 |
LM4780 |